メモリ
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開始行:
*メモリ とは [#m0c82151]
-[[IC]](集積回路)で構築されている
*半導体メモリ [#wb619315]
**半導体メモリ の種類 [#e5ac1c62]
***ROM [#x8e8dba3]
-Read Only Memory
-不揮発性
***RAM [#of0f2335]
-Random Access Memory
-揮発性
**ROM の種類 [#y57a6ad6]
***マスクROM [#q4b4a86d]
-書込み・消去が不可
***PROM [#h569e6a7]
-Programmabe ROM
-書込み可能(1回のみ)、消去は不可
***EPROM [#xb324352]
-Erasable PROM
-書込み・消去が可能(紫外線照射で全消去)
***EEPROM [#u2cc8060]
-Electrically EPROM
-書込み・消去が可能(電圧で部分消去)
***フラッシュメモリ（フラッシュROM） [#g1e69240]
-書込み・消去が可能(電圧で全消去、部分消去) ※EEPROM の一種
-NAND型
--NOR型より書き込みが高速、集積度が高く安価に大容量化が可能
--主な用途：USBメモリ、[[SSD]]、メモリーカード
-NOR型
--NAND型より読み出しが高速
--主な用途：[[ファームウェア]]、[[BIOS]]の格納
***FeRAM [#q78a7aaa]
-Ferroelectric RAM
-強誘電体メモリ
-構造がDRAMに似ている
-読み出しと書き込みが高速（読み出しはDRAM並み）
-フラッシュメモリより書き換え可能回数が多い
-フラッシュメモリより消費電力が低い
***相変化メモリ [#o750afa5]
-結晶状態と非結晶状態の違いを利用してデータを保存する
**RAM の種類 [#e97bdb81]
***DRAM [#l379558a]
-Dynamic RAM
-メモリセルの構成：コンデンサ、MOSトランジスタ
-リフレッシュ動作：必要
-SRAMとの比較：大容量、安価、低速、集積度(高)、構造(簡単)
-主な用途：[[主記憶装置]]
***SRAM [#o6e9e772]
-Static RAM
-メモリセルの構成：フリップフロップ回路
-リフレッシュ動作：不要
-DRAMとの比較：小容量、高価、高速、集積度(低)、構造(複雑)
-主な用途：レジスタ、キャッシュメモリ
*メモリの用途 [#b3886283]
**レジスタ [#tb9b2472]
-[[CPU]]内に配置するメモリ
**主記憶装置 [#n2a4f57f]
-[[補助記憶装置]]に記録されているプログラムやデータは主記...
-[[CPU]]は主記憶装置に読み込まれたプログラムの命令を読み...
-[[CPU]]による命令の実行により、主記憶装置のデータの読み...
**キャッシュメモリ [#e835ed1c]
-[[CPU]]と主記憶装置の間に配置するメモリ
-複数設置される場合、CPUに近い方が1次キャッシュ
--1次キャッシュ
--2次キャッシュ
-制御方式 ※主記憶装置に反映する方式
--ライトスルー方式
---キャッシュメモリへの書き込みと同時に書き込む
--ライトバック方式
---キャッシュメモリへの書き込み時は書き込まず、キャッシュ...
-格納するものを分けることがある
--命令キャッシュ
--データキャッシュ
**ディスクキャッシュ [#e38a4a69]
-[[主記憶装置]]と[[補助記憶装置]]の間に配置するメモリ
-磁気ディスクに内蔵したIC[[メモリ]]を磁気ディスクへのキャ...
*メモリに関連する技術 [#ya183ea9]
**メモリインタリーブ [#wdcdbe37]
-CPUから主記憶装置へのアクセスを擬似的に高速化する手法
-主記憶装置をバンクと呼ばれる単位に分割して並列でアクセス...
**スワッピング [#d7f233f6]
-主記憶上で実行状態のプログラムのうち、実行待ち状態が続い...
-スワップ
--スワッピングのために確保された補助記憶上の領域
--一般的に、主記憶の容量の2倍の領域を確保する
-スワップアウト
--主記憶上のプログラムをスワップに退避させること
-スワップイン
--スワップに退避されているプログラムを主記憶に読み込むこと
**仮想記憶管理 [#uc0aac57]
-補助記憶を使って主記憶の物理的な容量を超えたアドレス空間...
-仮想アドレス空間
-論理アドレス空間
***仮想記憶管理の方式 [#l016afb3]
-ページング方式
--仮想アドレスと実アドレスの対応表（ページテーブル）を使...
--ページフォールト
---プログラムの処理に必要なページが主記憶に存在しなかった...
---ページフォールト割り込みにより、補助記憶から該当ページ...
--ページイン
---ページを補助記憶から主記憶に読み込むこと
---ページインの手法：デマンドページング、プリページング
--ページアウト
---ページを主記憶から補助記憶に書き出すこと
--スラッシング
---プログラムの多重度の増加に対して主記憶の容量が不十分な...
-セグメント方式
**スタックとヒープ [#a8730a6a]
-「[[スタック]]」参照
-「[[ヒープ]]」参照
***スタック領域 [#oe4340a3]
-LIFO
-プログラムを起動すると割り当てられる領域
-プログラム内部で宣言した変数の割り当て
-戻り番地の格納
***ヒープ領域 [#j0ec667c]
-動的に確保可能なメモリ領域
**メモリの誤り制御 [#o84dd8a2]
-ハミング符号が使われる。
***[[ECC]]メモリ [#h0610bc8]
-ハミング符号を用いた[[誤り制御]]を実装したメモリのこと
-サーバなどで使われる
*関連用語 [#pf5e380b]
-静的メモリ領域
-[[コールドブート攻撃]]
-[[ハードウェア]]
-[[割り込み]]
-[[BOF攻撃]]
-[[PLD]] (Programmable Logic Device)
終了行:
*メモリ とは [#m0c82151]
-[[IC]](集積回路)で構築されている
*半導体メモリ [#wb619315]
**半導体メモリ の種類 [#e5ac1c62]
***ROM [#x8e8dba3]
-Read Only Memory
-不揮発性
***RAM [#of0f2335]
-Random Access Memory
-揮発性
**ROM の種類 [#y57a6ad6]
***マスクROM [#q4b4a86d]
-書込み・消去が不可
***PROM [#h569e6a7]
-Programmabe ROM
-書込み可能(1回のみ)、消去は不可
***EPROM [#xb324352]
-Erasable PROM
-書込み・消去が可能(紫外線照射で全消去)
***EEPROM [#u2cc8060]
-Electrically EPROM
-書込み・消去が可能(電圧で部分消去)
***フラッシュメモリ（フラッシュROM） [#g1e69240]
-書込み・消去が可能(電圧で全消去、部分消去) ※EEPROM の一種
-NAND型
--NOR型より書き込みが高速、集積度が高く安価に大容量化が可能
--主な用途：USBメモリ、[[SSD]]、メモリーカード
-NOR型
--NAND型より読み出しが高速
--主な用途：[[ファームウェア]]、[[BIOS]]の格納
***FeRAM [#q78a7aaa]
-Ferroelectric RAM
-強誘電体メモリ
-構造がDRAMに似ている
-読み出しと書き込みが高速（読み出しはDRAM並み）
-フラッシュメモリより書き換え可能回数が多い
-フラッシュメモリより消費電力が低い
***相変化メモリ [#o750afa5]
-結晶状態と非結晶状態の違いを利用してデータを保存する
**RAM の種類 [#e97bdb81]
***DRAM [#l379558a]
-Dynamic RAM
-メモリセルの構成：コンデンサ、MOSトランジスタ
-リフレッシュ動作：必要
-SRAMとの比較：大容量、安価、低速、集積度(高)、構造(簡単)
-主な用途：[[主記憶装置]]
***SRAM [#o6e9e772]
-Static RAM
-メモリセルの構成：フリップフロップ回路
-リフレッシュ動作：不要
-DRAMとの比較：小容量、高価、高速、集積度(低)、構造(複雑)
-主な用途：レジスタ、キャッシュメモリ
*メモリの用途 [#b3886283]
**レジスタ [#tb9b2472]
-[[CPU]]内に配置するメモリ
**主記憶装置 [#n2a4f57f]
-[[補助記憶装置]]に記録されているプログラムやデータは主記...
-[[CPU]]は主記憶装置に読み込まれたプログラムの命令を読み...
-[[CPU]]による命令の実行により、主記憶装置のデータの読み...
**キャッシュメモリ [#e835ed1c]
-[[CPU]]と主記憶装置の間に配置するメモリ
-複数設置される場合、CPUに近い方が1次キャッシュ
--1次キャッシュ
--2次キャッシュ
-制御方式 ※主記憶装置に反映する方式
--ライトスルー方式
---キャッシュメモリへの書き込みと同時に書き込む
--ライトバック方式
---キャッシュメモリへの書き込み時は書き込まず、キャッシュ...
-格納するものを分けることがある
--命令キャッシュ
--データキャッシュ
**ディスクキャッシュ [#e38a4a69]
-[[主記憶装置]]と[[補助記憶装置]]の間に配置するメモリ
-磁気ディスクに内蔵したIC[[メモリ]]を磁気ディスクへのキャ...
*メモリに関連する技術 [#ya183ea9]
**メモリインタリーブ [#wdcdbe37]
-CPUから主記憶装置へのアクセスを擬似的に高速化する手法
-主記憶装置をバンクと呼ばれる単位に分割して並列でアクセス...
**スワッピング [#d7f233f6]
-主記憶上で実行状態のプログラムのうち、実行待ち状態が続い...
-スワップ
--スワッピングのために確保された補助記憶上の領域
--一般的に、主記憶の容量の2倍の領域を確保する
-スワップアウト
--主記憶上のプログラムをスワップに退避させること
-スワップイン
--スワップに退避されているプログラムを主記憶に読み込むこと
**仮想記憶管理 [#uc0aac57]
-補助記憶を使って主記憶の物理的な容量を超えたアドレス空間...
-仮想アドレス空間
-論理アドレス空間
***仮想記憶管理の方式 [#l016afb3]
-ページング方式
--仮想アドレスと実アドレスの対応表（ページテーブル）を使...
--ページフォールト
---プログラムの処理に必要なページが主記憶に存在しなかった...
---ページフォールト割り込みにより、補助記憶から該当ページ...
--ページイン
---ページを補助記憶から主記憶に読み込むこと
---ページインの手法：デマンドページング、プリページング
--ページアウト
---ページを主記憶から補助記憶に書き出すこと
--スラッシング
---プログラムの多重度の増加に対して主記憶の容量が不十分な...
-セグメント方式
**スタックとヒープ [#a8730a6a]
-「[[スタック]]」参照
-「[[ヒープ]]」参照
***スタック領域 [#oe4340a3]
-LIFO
-プログラムを起動すると割り当てられる領域
-プログラム内部で宣言した変数の割り当て
-戻り番地の格納
***ヒープ領域 [#j0ec667c]
-動的に確保可能なメモリ領域
**メモリの誤り制御 [#o84dd8a2]
-ハミング符号が使われる。
***[[ECC]]メモリ [#h0610bc8]
-ハミング符号を用いた[[誤り制御]]を実装したメモリのこと
-サーバなどで使われる
*関連用語 [#pf5e380b]
-静的メモリ領域
-[[コールドブート攻撃]]
-[[ハードウェア]]
-[[割り込み]]
-[[BOF攻撃]]
-[[PLD]] (Programmable Logic Device)
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